第670章 第二步：覆海！破晓 A220 EUV光刻机，陈总的新筹码！ (第2/3页)

地宣布下一道指令。

    令人紧张的时刻到来！

    这是星源科技驯服的第一头猛兽——磁约束放电激发等离子体光源（MCDE-EUV光），即将被唤醒！

    如果一切正常，它将用“电磁场”代替“激光”作为激发和约束等离子体的手段，进而获得微弱的、波长为13.5纳米的极深紫外光。

    时间一分一秒地过去。

    主监控屏上，一个原本平坦的基线，微微跳动了一下。

    随后，一个虽然微弱但清晰可辨的信号峰值，顽强地升了起来！

    “有信号了！”一名年轻的研究员忍不住地喊了出来，声音因激动而变得有些失真。

    大家心里清楚！

    第一台EUV光刻机对华国的重大战略意义！

    几乎在同一时间，位于光路末端的EUV功率探测器，传回了第一条数据：107瓦！

    一个在ASML看来早已被甩在身后的数字，此刻却让整个控制室陷入了短暂的寂静，随即爆发出巨大的欢呼声！

    许多人下意识地拥抱在一起，眼眶瞬间红了。

    林南感觉自己的手都在微微颤抖，于是紧紧抓住栏杆，强迫自己冷静下来。

    陈延森倒是心态平稳，他抬手压了压，控制室里的欢呼声很快平息。

    “提高功率档位！”陈延森继续说道。

    EUV光刻机的功率直接决定单位时间内的晶圆处理数量，每一次曝光都需足够的EUV光能量触发光刻胶的光化学反应。

    若光源功率低，需延长单次曝光时间或增加脉冲次数，才能满足能量需求，导致单晶圆处理时间变长。

    比如200W功率的机型每小时可处理约125片晶圆，而250W机型可提升至每小时170片，产能提升近40%。

    技术差一点，就是差了一大截！

    而且功率越高，单位晶圆的光刻成本就越低，规模化优势就越强。

    闻言，林南立刻收敛心神，右手在控制台上快速滑动，目光紧盯着功率调节界面：“收到！当前目标档位220瓦，升压速率已调至安全阈值，避免等离子体不稳定。”

    控制台屏幕上，代表光源功率的数字开始缓慢爬升，每一个数值的跳动，控制室内的呼吸声就跟着沉重一分。

    137瓦、168瓦、214瓦……

    当数字稳稳停在220瓦时，林南立即看向一旁的光源稳定性监测曲线。

    那条代表等离子体约束状态的绿色线条，始终保持着平稳的波动，没有出现任何异常的尖峰或骤降。

    系统运行稳定！

    “功率稳定在220瓦！等离子体约束状态良好，没有出现能量泄漏！”

    林南的声音比刚才响亮了几分，紧绷的肩膀也稍稍放松了一些，脸上绽放出一抹旁人看不见的灿烂笑容。

    作为国产第一台EUV光刻机的核心研发人员，那是妥妥能登上教科书、评院士、留名青史的人。

    他连忙深吸了一口气，强行控制住自己的情绪。

    陈延森微微颔首，转头看向章延杰：“光学系统同步适配，检查光束匀化效果。”

    章延杰立马调出照明光学模块的实时数据，屏幕上弹出一组光束截面分布图。

    淡紫色的光斑均匀地覆盖在模拟掩模区域，边缘没有出现丝毫能量衰减的阴影。

    “陈老师，光束匀化度99.2%，符合220瓦功率下的光学适配要求，成像光学系统已完成自动对焦校准！”

    章延杰扬声回应道。

    这一次，控制室内的骚动比方才更加明显。

    有人悄悄抹了把眼角，还有人用拳头轻轻捶了下桌面。

    从107瓦到220瓦，不仅仅是数字的提升，更是证明他们的MCDE-EUV光源既能“点亮”，也能在更高功率下保持稳定，这意味着量产的可能性又近了一步。

    功率是制约工艺节点的重要因素！

    制程微缩需实现更小的线宽和间距，要求EUV光具备更高的光学对比度，而功率是对比度的核心支撑。

    220瓦的稳定功率，足以满足7纳米制程的芯片生产所需。

    陈延森嗯了一声，接着吩咐道：“准备晶圆台与掩模台同步测试，加载测试晶圆，按28纳米制程参数设置曝光程序。”

    汪象朝马上响应：“测试晶圆已通过机械臂送入预对准工位，掩模台已加载28纳米标准电路掩模版，同步精度校准

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