第830章 芯片进展2 (第1/3页)

    设计负责人脸上的自豪感褪去，变得凝重起来。

    他看向了工艺整合负责人和设计-工艺产品线总裁孟良凡。

    冯庭波适时接话：

    “尘风总问到了核心。

    设计只是蓝图，制造才是将蓝图变为现实的关键。

    下面，就请工艺团队和孟总，为我们揭示‘猎人’芯片在14nm FinFET平台上的真实情况。”

    工艺整合负责人深吸一口气，站了起来。

    他操作投影，画面切换到了一张令人眼花缭乱的多维度图表：14nm FinFET工艺平台良率追踪图。

    上面布满了各种颜色的曲线，代表着不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。

    “姚总的问题非常直接，我也直接回答。”他的声音努力保持平静，但能听出紧张。

    “‘猎人’芯片，是基于我们华兴EDA团队与海思共同开发的新一代PDK进行设计和仿真的。

    其仿真模型，大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际产线的早期数据。”

    他指向图表的核心区域，一条原本剧烈波动但近期逐渐趋于平稳的曲线：

    “这就是‘猎人’芯片核心计算模块的MPW试产良率趋势。

    经过五轮艰苦的工艺迭代和设计优化，其综合良率，已从最初的令人绝望的31%，提升并稳定在68.5%。

    最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以内。”

    “68.5%？”姚尘风身体前倾，手指停止了敲击，语气中混合着惊讶和欣喜。

    “如果我没记错，上次季度汇报，这个数字还在45%徘徊。

    这个爬坡速度，超出了我们内部的预期。

    怎么做到的？”

    “是的，姚总，提升速度确实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。

    “突破主要来自三个方面：

    首先是孟总团队带来的FinFET三维鳍片形状和应力工程的精确调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”

    “其次，是在

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