第830章 芯片进展2 (第3/3页)

电脑上飞快地运算着。

    他模拟着各种成本、定价、市场和风险场景。

    会议室里鸦雀无声，只有他指尖敲击屏幕的细微声响。

    几分钟后，他抬起头，最终拍板：

    “同意！风险可控，战略价值远超短期财务表现。

    海思尽快交付最终GDSII，终端研发、测试和供应链这边我会亲自盯，立即启动‘猎人计划’。

    但我有三个条件：

    第一，海思和制造端必须立军令状，保证芯片的绝对稳定性和可靠性，中端机用户规模大，出大规模质量问题就是品牌灾难。

    第二，财务部牵头，核算成本，初期亏损由集团战略专项基金覆盖，但必须给出明确的良率提升和成本下降路径图，我要在一年内看到成本逼近可接受区间。

    第三，”

    他顿了顿，语气加重，目光扫过冯庭波和陈默。

    “这仅仅是‘备胎’和练兵场，我们最终的目标是旗舰机。

    高端的N+1工艺进度，绝不能因为14nm FinFET的进展而有丝毫松懈。

    我要的是能用在下一代Mate和P系列上，能正面抗衡高通和苹果的芯片。

    N+1的进展，现在到底是什么情况？”

    姚尘风的追问，让刚刚稍有缓和的气氛再次激起千层浪。

    所有人的心都提了起来，目光聚焦在那位工艺整合负责人身上。

    负责人的表情瞬间变得更加严峻，他甚至下意识地深吸了一口气，才操作电脑。

    投影画面切换到一个更加复杂、数据点更加稀疏且波动剧烈的图表：N+1工艺良率追踪图。

    那如同癫痫患者心跳般的曲线，让所有懂行的人心里都是一沉。

    “姚总、冯总，N+1工艺，我们面临的是一堵技术界的‘叹息之壁’。”他的声音干涩。

    “它的目标是实现比14nm更高的晶体管密度和能效比，这要求我们在晶体管架构、新材料、新集成技术上都取得突破。

    目前，我们在三个核心领域遇到了巨大的、近乎原理性的困难。”

    他逐一指出图表上的几个致命低谷：

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